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PDF 2SD1662 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SD1662 | |
| Descripción | Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTOR | |
| Fabricantes | Toshiba Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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2SD1662
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington power transistor)
2SD1662
High Current Switching Applications
Unit: mm
· High DC current gain: hFE = 1000 (min) (VCE = 3 V, IC = 15 A)
· Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 15 A)
· Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
(Tc = 25°C)
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PC
Tj
Tstg
Rating
100
100
5
15
1
100
150
−55 to 150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
Equivalent Circuit
COLLECTOR
BASE
≈ 2 kΩ
≈ 200 Ω
EMITTER
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-16C1A
Weight: 4.7 g (typ.)
1 2003-02-04
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SD1662 | Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTOR | Toshiba Semiconductor |
| 2SD1662 | Silicon NPN Power Transistor |  Inchange Semiconductor |
| 2SD1663 | Power Transistor | Inchange Semiconductor |
| 2SD1664 | Medium Power Transistor (32V/ 1A) |  ROHM Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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