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PDF BUT11 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza BUT11
Descripción Silicon diffused power transistors
Fabricantes NXP Semiconductors 
Logotipo NXP Semiconductors Logotipo



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DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BUT11; BUT11A
Silicon diffused power transistors
Product specification
Supersedes data of February 1996
File under Discrete Semiconductors, SC06
1997 Aug 13

1 page




BUT11 pdf
Philips Semiconductors
Silicon diffused power transistors
Product specification
BUT11; BUT11A
handbook, full pagewidth
102
IC
(A)
ICM max
10
IC max
(1)
1
δ = 0.01
II
tp =
20 µs
50 µs
100 µs
MGB950
101
102
103
10
I (2)
200 µs
500 µs
1 ms
2 ms
10 ms
DC
BUT11
BUT11A
III
IV
102 103
VCE (V)
104
Tmb 25 °C.
I - Region of permissible DC operation.
II - Permissible extension for repetitive pulse operation.
III - Area of permissible operation during turn-on in single transistor converters, provided RBE 100 and tp 0.6 µs.
IV - Repetitive pulse operation in this region is permissible provided VBE 0 and tp 5 ms.
(1) Ptot max and Ptot peak max lines.
(2) Second breakdown limits.
Fig.4 Forward bias SOAR.
1997 Aug 13
4

5 Page





BUT11 arduino
Philips Semiconductors
Silicon diffused power transistors
NOTES
Product specification
BUT11; BUT11A
1997 Aug 13
10

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
BUT100HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTORSTMicroelectronics
STMicroelectronics
BUT11Silicon diffused power transistorsNXP Semiconductors
NXP Semiconductors
BUT11NPN SILICON POWER TRANSISTORPower Innovations Limited
Power Innovations Limited
BUT11NPN SILICON POWER TRANSISTORTRSYS
TRSYS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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