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PDF 2SD1857 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 2SD1857
Descripción Silicon NPN Power Transistor
Fabricantes Inchange Semiconductor 
Logotipo Inchange Semiconductor Logotipo



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No Preview Available ! 2SD1857 Hoja de datos, Descripción, Manual

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
DESCRIPTION
·High breakdown voltage. (BVCEO = 120V)
·Low collector output capacitance.
·High transition frequency. (fT = 50MHz)
·Complement to Type 2SB1236
APPLICATIONS
·Designed for audio amplifier,
voltage regulator, and general purpose power amplifiers.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
120 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
120 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current-Continuous 1.5 A
ICP Collector Current-Pulse
3A
PC Collector Power Dissipation
10 W
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
150
-55~150
Product Specification
2SD1857
isc websitewww.iscsemi.cn
1 isc & iscsemi is registered trademark

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
2SD1850SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUTPanasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor
2SD1850Power TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
2SD1851Driver ApplicationsSanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device
2SD1852PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorsSanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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