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PDF 2SD1662 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SD1662 | |
| Descripción | Silicon NPN Power Transistor | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
isc Product Specification
2SD1662
DESCRIPTION
·High DC Current Gain
: hFE= 1000(Min.)@ IC= 15A
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO = 100V(Min.)
·Low Collector Saturation Voltage
: VCE(sat) = 1.5V(Max.)@ IC= 15A
APPLICATIONS
·Designed for high current switching application.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VCBO Collector-Base Voltage
100 V
VCEO Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage
100 V
5V
IC Collector Current-Continuous
15 A
IB Base Current- Continuous
PC
Collector Power Dissipation
@TC=25℃
Tj Junction Temperature
1A
100 W
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-55~150 ℃
isc website：www.iscsemi.cn
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SD1662 | Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTOR |  Toshiba Semiconductor |
| 2SD1662 | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
| 2SD1663 | Power Transistor | Inchange Semiconductor |
| 2SD1664 | Medium Power Transistor (32V/ 1A) |  ROHM Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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