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PDF 2SD1662 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 2SD1662
Descripción Silicon NPN Power Transistor
Fabricantes Inchange Semiconductor 
Logotipo Inchange Semiconductor Logotipo



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No Preview Available ! 2SD1662 Hoja de datos, Descripción, Manual

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
isc Product Specification
2SD1662
DESCRIPTION
·High DC Current Gain
: hFE= 1000(Min.)@ IC= 15A
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO = 100V(Min.)
·Low Collector Saturation Voltage
: VCE(sat) = 1.5V(Max.)@ IC= 15A
APPLICATIONS
·Designed for high current switching application.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VCBO Collector-Base Voltage
100 V
VCEO Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage
100 V
5V
IC Collector Current-Continuous
15 A
IB Base Current- Continuous
PC
Collector Power Dissipation
@TC=25
Tj Junction Temperature
1A
100 W
150
Tstg Storage Temperature Range
-55~150
isc websitewww.iscsemi.cn
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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
2SD1662Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTORToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
2SD1662Silicon NPN Power TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
2SD1663Power TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
2SD1664Medium Power Transistor (32V/ 1A)ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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