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PDF 2SD1606 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 2SD1606
Descripción Silicon NPN Power Transistor
Fabricantes Inchange Semiconductor 
Logotipo Inchange Semiconductor Logotipo



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No Preview Available ! 2SD1606 Hoja de datos, Descripción, Manual

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
isc Product Specification
2SD1606
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 120V(Min)
·High DC Current Gain
: hFE= 1000(Min) @IC= 3A
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifiers applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
VCEO
Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage
IC Collector Current-Continuous
ICP Collector Current-Peak
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
120 V
120 V
7V
6A
12 A
40 W
150
-55~150
isc websitewww.iscsemi.cn
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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
2SD1601Power TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
2SD1602Power TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
2SD1603Silicon NPN Darlington Power TransistorInchange Semiconductor Company
Inchange Semiconductor Company
2SD1603(2SD1603 / 2SD1604) LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENT PAIRHitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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