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Datasheet WTC2312 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | WTC2312 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET WTC2312
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
P b Lead(Pb)-Free
1 GATE 3 DRAIN
DRAIN CURRENT 4.9 AMPERES DRAIN SOUCE VOLTAGE 20 VOLTAGE
Features:
* Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON) RDS(ON)<41mΩ @VGS=4.5V RDS(ON)<47mΩ @VGS=2.5V RDS(ON)<57mΩ @VGS=1.8V * Capable of 2.5V gate drive * |
Weitron Technology |
WTC2 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
WTC2305 | P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
Weitron Technology |
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WTC2306A | Enhancement Mode Power MOSFET |
Weitron Technology |
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WTC2305A | Enhancement Mode Power MOSFET |
Weitron Technology |
Esta página es del resultado de búsqueda del WTC2312. Si pulsa el resultado de búsqueda de WTC2312 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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