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Datasheet W9NB80 Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
1 W9NB80   STW9NB80

® STW9NB80 N-CHANNEL 800V - 0.85Ω - 9.3A - TO-247 PowerMESH™ MOSFET TYPE STW 9NB80 s s s s s s V DSS 800 V R DS(on) <1Ω ID 9.3 A TYPICAL RDS(on) = 0.85 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHA
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STMicroelectronics		 datasheet W9NB80 pdf

W9N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
W9NK90Z

STW9NK90Z

STB9NK90Z - STFPNK90Z STP9NK90Z - STW9NK90Z N-channel 900V - 1.1Ω - 8A - TO-220 /FP- D2PAK - TO-247 Zener-protected superMESHTM MOSFET General features Type STB9NK90Z STW9NK90Z STP9NK90Z STF9NK90Z ■ ■ ■ VDSS 900V 900V 900V 900V RDS(on) <1.3Ω <1.3
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STMicroelectronics		 datasheet pdf - STMicroelectronics
W9NK70Z

STW9NK70Z

N-CHANNEL 700V - 1Ω - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET TYPE STP9NK70Z STP9NK70ZFP STB9NK70Z STB9NK70Z-1 STW9NK70Z s s s s s s s STP9NK70Z - STP9NK70ZFP STB9NK70Z - STB9NK70Z-1 - STW9NK70Z VDSS 700 700 700 700 700 V V V V V RDS(on) <
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W9NK95Z

STW9NK95Z

STW9NK95Z N-channel 950 V - 1.15 Ω - 7 A - TO-247 Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET Features Type STW9NK95Z VDSS RDS(on) Max ID 950 V < 1.38 Ω 7 A Pw 160 W â–  Extremely high dv/dt capability â–  100% avalanche tested â–  Gate charge minimized Application â–
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Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

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