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Datasheet TK10A80E Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | TK10A80E | MOSFETs TK10A80E
MOSFETs Silicon N-Channel MOS (π-MOS)
TK10A80E
1. Applications
• Switching Voltage Regulators
2. Features
(1) (2) (3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.7 Ω (typ.) Low leakage current : IDSS = 10 µA (max) (VDS = 640 V) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID |
Toshiba Semiconductor |
TK10A Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
TK10A50D | Field Effect Transistor |
Toshiba |
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TK10A60D | Field Effect Transistor |
Toshiba |
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TK10A60W | MOSFETs |
Toshiba Semiconductor |
Esta página es del resultado de búsqueda del TK10A80E. Si pulsa el resultado de búsqueda de TK10A80E se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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