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Datasheet TJ120F06J3 Equivalent ( PDF )

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1 TJ120F06J3   DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications

TJ120F06J3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅢ) TJ120F06J3 • • • • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 5.5 mΩ (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 110 S (typ.) Low leakage current: IDSS = −10 μA (max) (VDS = −60 V
Toshiba Semiconductor
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datasheet TJ120F06J3 pdf

TJ120F0 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

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TJ120F06J3

DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications

TJ120F06J3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅢ) TJ120F06J3 • • • • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 5.5 mΩ (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 110 S (typ.) Low leakage current: IDSS = −10 μA
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SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

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