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Datasheet TC58NS256DC Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | TC58NS256DC | TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 256-MBIT CMOS NAND E2PROM TC58NS256DC
TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
256-MBIT (32M × 8 BITS) CMOS NAND E PROM (32M BYTE SmartMedia DESCRIPTION
2
TM
)
The TC58NS256 is a single 3.3-V 256-Mbit (276,824,064) bit NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) |
Toshiba Semiconductor |
TC58NS25 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
TC58NS256BDC | 256 MBit CMOS NAND EPROM |
Toshiba |
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TC58NS256DC | TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 256-MBIT CMOS NAND E2PROM |
Toshiba Semiconductor |
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Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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