Datasheet TC2623 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	TC2623	12GHz Super Low Noise HEMT / AlGaAs/GaAs Field Effect Transistor TC2623 12GHz Super Low Noise HEMT AlGaAs/GaAs Field Effect Transistor Description The TC2623 is a X/Ku band Schottky barrier High Electron Mobility Transistor. This device is based on a 0.25µm mushroom Aluminium gate associated with an HEMT active layer and passivated with a SI3N4 layer. It is moun	United Monolithic Semiconductors

TC2 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
TC2309	30V high-density P-channel MOS transistor D 深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC2309(文件编号：S&CIC1053) 30V 高密度 P 沟道 MOS 管一、特点  30V 高密度设计的 P 沟道 MOS 管  超低导通电阻  RDS(ON)<53mΩ@VGS= -10V  RDS(OFF)<65mΩ@VGS= -4.5	FUMAN ELECTRONICS
TC2608	Section switch circuit http:/// http:/// http:///	Fuman
TC20	Small Induction Transistor (SIT)	NEC

Esta página es del resultado de búsqueda del TC2623. Si pulsa el resultado de búsqueda de TC2623 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin.

Enlace url :

[1]

nuevas actualizaciones

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Sitemap