Datasheet TC2182 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	TC2182	Low Noise Ceramic Packaged PHEMT GaAs FETs TC2182 REV4_20070504 Low Noise Ceramic Packaged PHEMT GaAs FETs FEATURES • • • • • • • 0.5 dB Typical Noise Figure at 12 GHz High Associated Gain: Ga = 13 dB Typical at 12 GHz Lg = 0.25 µm, Wg = 160 µm Tight Vp ranges control High RF input power handling capabil	Transcom

TC2 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
TC2309	30V high-density P-channel MOS transistor D 深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC2309(文件编号：S&CIC1053) 30V 高密度 P 沟道 MOS 管一、特点  30V 高密度设计的 P 沟道 MOS 管  超低导通电阻  RDS(ON)<53mΩ@VGS= -10V  RDS(OFF)<65mΩ@VGS= -4.5	FUMAN ELECTRONICS
TC2608	Section switch circuit http:/// http:/// http:///	Fuman
TC20	Small Induction Transistor (SIT)	NEC

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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