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Datasheet SVF2N60C Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 5 | SVF2N60C | 600V N-CHANNEL MOSFET 士兰微电子
SVF2N60CN/NF/M/MJ/F/D 说明书
2A、600V N沟道增强型场效应管
描述
SVF2N60CN/NF/M/MJ/F/D N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应 晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得� |
 SL |
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| 4 | SVF2N60CD | 600V N-CHANNEL MOSFET 士兰微电子
SVF2N60CN/NF/M/MJ/F/D 说明书
2A、600V N沟道增强型场效应管
描述
SVF2N60CN/NF/M/MJ/F/D N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应 晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得� |
SL |
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| 3 | SVF2N60CF | 600V N-CHANNEL MOSFET 士兰微电子
SVF2N60CN/NF/M/MJ/F/D 说明书
2A、600V N沟道增强型场效应管
描述
SVF2N60CN/NF/M/MJ/F/D N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应 晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得� |
SL |
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| 2 | SVF2N60CN | 600V N-CHANNEL MOSFET 士兰微电子
SVF2N60CN/NF/M/MJ/F/D 说明书
2A、600V N沟道增强型场效应管
描述
SVF2N60CN/NF/M/MJ/F/D N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应 晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得� |
SL |
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| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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