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Datasheet SSP4N60AS Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
2 SSP4N60AS   Advanced Power MOFET

Advanced Power MOSFET FEATURES Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 µ A (Max.) @ VDS = 600V Lower RDS(ON) : 2.037 Ω (Typ.) SSP4N60AS BVDSS = 600 V RDS(on) = 2.5 Ω ID = 4 A T
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
datasheet SSP4N60AS pdf
1 SSP4N60AS   Advanced Power MOFET

Samsung Electronics
Samsung Electronics
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nuevas actualizaciones

Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

Sanken
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