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Datasheet S-LSI1013LT1G Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | S-LSI1013LT1G | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
LSI1013LT1G S-LSI1013LT1G
FEATURES D TrenchFETr Power MOSFET: 1.8-V Rated D Gate-Source ESD Protected: 2000 V D High-Side Switching D Low On-Resistance: 1.2 W D Low Threshold: 0.8 V (typ) D Fast Switching Speed: 14 ns D S- Prefix for Automot |
 LRC |
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S-LSI1013L Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| S-LSI1013LT1G | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
LRC |
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[1]
nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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