Datasheet RJK03R4DPA Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	RJK03R4DPA	Built in SBD Dual N-channel Power MOS FET Preliminary Datasheet RJK03R4DPA MOS1 30 V, 20 A, 7.0 mΩ max. MOS2 30 V, 50 A, 2.3 mΩ max. Built in SBD Dual N-channel Power MOS FET High Speed Power Switching R07DS0888EJ0110 Rev.1.10 Oct 29, 2012 Features  Low on-resistance  Capable of 4.5 V gate drive  High density mounting  Pb	Renesas Technology

RJK03R4 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
RJK03R4DPA	Built in SBD Dual N-channel Power MOS FET Preliminary Datasheet RJK03R4DPA MOS1 30 V, 20 A, 7.0 mΩ max. MOS2 30 V, 50 A, 2.3 mΩ max. Built in SBD Dual N-channel Power MOS FET High Speed Power Switching R07DS0888EJ0110 Rev.1.10 Oct 29, 2012 Features  Low on-resistance  Capable of 4.5 V gate drive  High den	Renesas Technology

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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