Datasheet R6010ANX Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	R6010ANX	Drive Nch MOSFET Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET R6010ANX  Structure Silicon N-channel MOSFET  Dimensions (Unit : mm) TO-220FM 10.0 φ3.2 4.5 2.8 Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±30V. 4) Drive circuits can be simple. 5) Parallel use	ROHM Semiconductor

R6010 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
R6010MND3	MOSFET ( Transistor ) R6010MND3 　　Nch 600V 10A Power MOSFET 　　 Datasheet VDSS 600V lOutline 　 RDS(on)(Max.) 0.380Ω ID ±10A TO-252 PD 143W 　　　　　　　 lFeatures 1) Fast reverse recovery time (trr). 2) Low on-resistance. 3) Fast switching speed. 4) Gate-source volta	ROHM Semiconductor
R6010ANX	Drive Nch MOSFET Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET R6010ANX  Structure Silicon N-channel MOSFET  Dimensions (Unit : mm) TO-220FM 10.0 φ3.2 4.5 2.8 Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±30V. 4) Drive circuits can be simp	ROHM Semiconductor

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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