Datasheet QS8K2 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
2	QS8K2	30V Nch +Nch Middle Power MOSFET QS8K2 　　30V Nch +Nch Middle Power MOSFET VDSS RDS(on)(Max.) ID PD 30V 54mΩ ±3.5A 1.5W lFeatures 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S protection diode. 3) Small surface mount package(TSMT8) 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lOutline TSMT8 　　　　　　　　 lInner circuit	ROHM Semiconductor
1	QS8K21	4V Drive Nch Nch MOSFET 4V Drive Nch + Nch MOSFET QS8K21  Structure Silicon N-channel MOSFET  Dimensions (Unit : mm) TSMT8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. 2) High power package(TSMT8). 3) Low voltage drive(4V drive). (1) (2) (3) (4) Abbreviated symbol : K21  Application	ROHM Semiconductor

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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