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Datasheet K4A60DB Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | K4A60DB | TK4A60DB TK4A60DB
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)
TK4A60DB
Switching Regulator Applications
• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.6Ω(typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.2 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 600V) |
Toshiba Semiconductor |
K4A6 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
K4A60DA | 600V, 3.5A, N-Channel MOSFET, TK4A60DA |
Toshiba |
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K4A60DB | TK4A60DB |
Toshiba Semiconductor |
Esta página es del resultado de búsqueda del K4A60DB. Si pulsa el resultado de búsqueda de K4A60DB se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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