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Datasheet K3563 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | K3563 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK3563
TENTATIVE
2SK3563
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅥ)
2SK3563
unit:mm
Switching Regulator Applications
10±0.3
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics Drain-source voltage Drain-gate voltage (RGS = 20 kΩ) Gate-source voltage D |
Toshiba Semiconductor |
K3 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
K3918 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK3918 |
NEC |
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K30A | MOSFET ( Transistor ) - 2SK30A |
Xiaosheng |
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K3569 | 600V, 10A, N-Channel MOSFET - 2SK3569 |
Toshiba Semiconductor |
Esta página es del resultado de búsqueda del K3563. Si pulsa el resultado de búsqueda de K3563 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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