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Datasheet K3497 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | K3497 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK3497
2SK3497
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV)
2SK3497
High Power Amplifier Application
Unit: mm
High breakdown voltage: VDSS = 180V Complementary to 2SJ618
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Drain−source vo |
Toshiba |
K3 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
K3918 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK3918 |
NEC |
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K30A | MOSFET ( Transistor ) - 2SK30A |
Xiaosheng |
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K3569 | 600V, 10A, N-Channel MOSFET - 2SK3569 |
Toshiba Semiconductor |
Esta página es del resultado de búsqueda del K3497. Si pulsa el resultado de búsqueda de K3497 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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