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Datasheet K1606 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | K1606 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK1606 Power F-MOS FETs
2SK1606
Silicon N-Channel Power F-MOS FET
s Features
q High avalanche energy capacity q VGSS: 30V guaranteed q Low RDS(on), high-speed switching characteristic
unit: mm
0.7±0.1
10.0±0.2 5.5±0.2 2.7±0.2
4.2±0.2
4.2±0.2
s Applications
16.7±0.3
7.5±0.2 |
Matsushita Electric |
K1 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
K10A60D | 600V, 10A, Silicon N Channel MOSFET, TK10A60D |
Toshiba |
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K12A50D | TK12A50D |
Toshiba Semiconductor |
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K10A50D | TK10A50D |
Toshiba |
Esta página es del resultado de búsqueda del K1606. Si pulsa el resultado de búsqueda de K1606 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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