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Datasheet IRGP6660D-EPBF Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | IRGP6660D-EPBF | Insulated Gate Bipolar Transistor VCES = 600V
IC = 60A, TC =100°C
tSC ≥ 5µs, TJ(max) = 175°C
VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 48A
Applications • Welding • H Bridge Converters
IRGP6660DPbF IRGP6660D-EPbF
Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
CC
C
G
E
n-channel
G Gate
GCE
IRGP6660DPbF TO-247AC
C |
International Rectifier |
IRGP6660D-E Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
IRGP6660D-EPbF | Insulated Gate Bipolar Transistor |
International Rectifier |
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Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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