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Datasheet IRGP6660D-EPBF Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
1 IRGP6660D-EPBF   Insulated Gate Bipolar Transistor

VCES = 600V IC = 60A, TC =100°C tSC ≥ 5µs, TJ(max) = 175°C VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 48A Applications • Welding • H Bridge Converters IRGP6660DPbF IRGP6660D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode CC C G E n-channel G Gate GCE IRGP6660DPbF TO-247AC C
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datasheet IRGP6660D-EPBF pdf

IRGP6660D-E Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
IRGP6660D-EPbF

Insulated Gate Bipolar Transistor

VCES = 600V IC = 60A, TC =100°C tSC ≥ 5µs, TJ(max) = 175°C VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 48A Applications • Welding • H Bridge Converters IRGP6660DPbF IRGP6660D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode CC C G E n-channel G Gate GCE IRG
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Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

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