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Datasheet IRG7PK35UD1-EPBF Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
1 IRG7PK35UD1-EPBF   Insulated Gate Bipolar Transistor

  IRG7PK35UD1PbF IRG7PK35UD1-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 1400V IC = 20A, TC =100°C TJ(max) = 150°C VCE(ON) typ. = 2.0V @ IC = 20A G   C C C   G E C E G C E Applications  Induction heating  Microwave ovens  Soft s
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datasheet IRG7PK35UD1-EPBF pdf

IRG7PK35UD1-E Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
IRG7PK35UD1-EPbF

Insulated Gate Bipolar Transistor

  IRG7PK35UD1PbF IRG7PK35UD1-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 1400V IC = 20A, TC =100°C TJ(max) = 150°C VCE(ON) typ. = 2.0V @ IC = 20A G   C C C   G E C E G C E Applications  Induction heating  Microwave
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Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

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