Datasheet IRFHM792PBF Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	IRFHM792PBF	Power MOSFET ( Transistor ) VDS Vgs max RDS(on) max (@VGS = 10V) Qg typ ID (@Tc(Bottom) = 25°C) 100 ± 20 195 4.2 h3.4 V V mΩ nC A TOP VIEW D DD D 8 765 1 234 S GS G IRFHM792PbF HEXFET® Power MOSFET SG G S D D D D D D PQFN Dual 3.3X3.3 mm Applications • DC-DC Primary Switch • 48V Battery Monitoring Features and	International Rectifier

IRFHM792 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
IRFHM792TRPBF	HEXFET Power MOSFET PD - 96368A IRFHM792TRPbF IRFHM792TR2PbF VDS Vgs max 100 ± 20 195 4.2 3.4 V V mΩ nC A 1 S 2 G 3 S 4 G D 8 HEXFET® Power MOSFET TOP VIEW D 7 D 6 D 5 S G S G D D D D D RDS(on) max (@VGS = 10V) Qg typ ID (@Tc(Bottom) = 25°C) h D PQFN Dual 3.3X3.3 mm Applications • D	International Rectifier
IRFHM792TR2PBF	HEXFET Power MOSFET PD - 96368A IRFHM792TRPbF IRFHM792TR2PbF VDS Vgs max 100 ± 20 195 4.2 3.4 V V mΩ nC A 1 S 2 G 3 S 4 G D 8 HEXFET® Power MOSFET TOP VIEW D 7 D 6 D 5 S G S G D D D D D RDS(on) max (@VGS = 10V) Qg typ ID (@Tc(Bottom) = 25°C) h D PQFN Dual 3.3X3.3 mm Applications • D	International Rectifier
IRFHM792PBF	Power MOSFET ( Transistor ) VDS Vgs max RDS(on) max (@VGS = 10V) Qg typ ID (@Tc(Bottom) = 25°C) 100 ± 20 195 4.2 h3.4 V V mΩ nC A TOP VIEW D DD D 8 765 1 234 S GS G IRFHM792PbF HEXFET® Power MOSFET SG G S D D D D D D PQFN Dual 3.3X3.3 mm Applications • DC-DC Primary Switch • 48V Battery Moni	International Rectifier

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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