Datasheet IRF5806PBF Equivalent ( PDF )

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1	IRF5806PBF	Power MOSFET ( Transistor ) PD - 95476B IRF5806PbF l l l l l l l Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Low Gate Charge Lead-Free Halogen-Free HEXFET® Power MOSFET VDSS -20V RDS(on) max 86mΩ@VGS = -4.5V 147mΩ@VGS = -2.5V ID -4.0A -3.0A Description These P-channel MOSFETs from	International Rectifier

IRF5806 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

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IRF5806PbF	Power MOSFET ( Transistor ) PD - 95476B IRF5806PbF l l l l l l l Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Low Gate Charge Lead-Free Halogen-Free HEXFET® Power MOSFET VDSS -20V RDS(on) max 86mΩ@VGS = -4.5V 147mΩ@VGS = -2.5V ID -4.0A -3.0A Description These P-	International Rectifier
IRF5806	Power MOSFET(Vdss=-20V) PD - 93997 IRF5806 HEXFET® Power MOSFET q q q q Trench Technology Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Available in Tape & Reel VDSS -20V RDS(on) max 86mΩ@VGS = -4.5V 147mΩ@VGS = -2.5V ID -4.0A -3.0A Description New trench HEXFET® Power MOSFETs from International	International Rectifier

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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