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Datasheet IRF5806 Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
2 IRF5806   Power MOSFET(Vdss=-20V)

PD - 93997 IRF5806 HEXFET® Power MOSFET q q q q Trench Technology Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Available in Tape & Reel VDSS -20V RDS(on) max 86mΩ@VGS = -4.5V 147mΩ@VGS = -2.5V ID -4.0A -3.0A Description New trench HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize ad
International Rectifier
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datasheet IRF5806 pdf
1 IRF5806PbF   Power MOSFET ( Transistor )

PD - 95476B IRF5806PbF l l l l l l l Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Low Gate Charge Lead-Free Halogen-Free HEXFET® Power MOSFET VDSS -20V RDS(on) max 86mΩ@VGS = -4.5V 147mΩ@VGS = -2.5V ID -4.0A -3.0A Description These P-channel MOSFETs from
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datasheet IRF5806PbF pdf


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Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

Sanken
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