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Datasheet IPP26CNE8NG Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | IPP26CNE8NG | Power-Transistor
IPB26CNE8N G IPD25CNE8N G IPI26CNE8N G IPP26CNE8N G IPU25CNE8N G
OptiMOS®2 Power-Transistor
Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; R |
 Infineon Technologies |
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IPP26CNE Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| IPP26CNE8NG | Power-Transistor |
Infineon Technologies |
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| Esta página es del resultado de búsqueda del IPP26CNE8NG. Si pulsa el resultado de búsqueda de IPP26CNE8NG se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
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nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
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