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Datasheet IPD25CN10NG Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
1 IPD25CN10NG   Power-Transistor

IPB26CN10N G IPD25CN10N G IPI26CN10N G IPP26CN10N G OptiMOS™2 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) Product Summary V DS R DS(on),max (TO252) ID 100 V 25 mΩ 35 A • 175 °C operating tempe
Infineon Technologies
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datasheet IPD25CN10NG pdf

IPD25CN1 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
IPD25CN10NG

Power-Transistor

IPB26CN10N G IPD25CN10N G IPI26CN10N G IPP26CN10N G OptiMOS™2 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) Product Summary V DS R DS(on),max (TO252) ID 100 V 25 mΩ 35 A • 175
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SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

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