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Datasheet IPB051NE8NG Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | IPB051NE8NG | Power-Transistor
IPB051NE8N G
IPI05CNE8N G IPP054NE8N G
OptiMOS®2 Power-Transistor
Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualifi |
Infineon Technologies |
IPB051NE Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
IPB051NE8NG | Power-Transistor |
Infineon Technologies |
Esta página es del resultado de búsqueda del IPB051NE8NG. Si pulsa el resultado de búsqueda de IPB051NE8NG se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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