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Datasheet GT50N321 Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
1 GT50N321   Insulated Gate Bipolar Transistor

GT50N321 東芝伝導度変調型電界効果トランジスタ シリコンNチャネルIGBT GT50N321 ○ 電圧共振インバータスイッチング用 ○ 第 4 世代 • • • • 高速 FRD を内蔵しています。 取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。 ス�
Toshiba Semiconductor
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datasheet GT50N321 pdf

GT50N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
GT50N322A

Insulated Gate Bipolar Transistor

GT50N322A TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT50N322A Voltage Resonance Inverter Switching Application Fifth Generation IGBT • • • • FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT : tf = 0.10 μs (typ.) (IC
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datasheet pdf - Toshiba Semiconductor
GT50N321

Insulated Gate Bipolar Transistor

GT50N321 東芝伝導度変調型電界効果トランジスタ シリコンNチャネルIGBT GT50N321 ○ 電圧共振インバータスイッチング用 ○ 第 4 世代 • • • • 高速 FRD を内蔵しています。 取り扱いが簡単なエンハンスメント�
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GT50N324

silicon N-channel IGBT

GT50N324 東芝伝導度変調型電界効果トランジスタ シリコンNチャネルIGBT GT50N324 ○ 電圧共振インバータスイッチング用 ○ 第 6 世代 単位: mm • 高速 FRD を内蔵しています。 • 取り扱いが簡単なエンハンスメ�
Toshiba
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datasheet pdf - Toshiba


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SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

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