Datasheet GT25G101SM Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	GT25G101SM	N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)	Toshiba Semiconductor

GT25G10 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
GT25G101	N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS) GT25G101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N−CHANNEL IGBT GT25G101 STROBE FLASH APPLICATIONS l High Input Impedance l Low Saturation Voltage l Enhancement−Mode l 20V Gate Drive : VCE (sat)=8V (Max.) (IC=170A) Unit in mm MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C) CHARACTERIS	Toshiba Semiconductor
GT25G102	N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)	Toshiba Semiconductor
GT25G102SM	N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)	Toshiba Semiconductor

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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