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Datasheet GP201MHS18 Equivalent ( PDF )

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1 GP201MHS18   Low VCE(SAT) Half Bridge IGBT Module

GP201MHS18 GP201MHS18 Low VCE(SAT) Half Bridge IGBT Module DS5290-2.1 January 2001 FEATURES s s s s s Low VCE(SAT) Non Punch Through Silicon Isolated Copper Baseplate Low Inductance Internal Construction 200A Per Arm KEY PARAMETERS VCES (typ) VCE(sat) (max) IC (max) IC(PK) 1800V 2.6V 200A 400A
Dynex Semiconductor
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datasheet GP201MHS18 pdf

GP201MH Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

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GP201MHS18

Low VCE(SAT) Half Bridge IGBT Module

GP201MHS18 GP201MHS18 Low VCE(SAT) Half Bridge IGBT Module DS5290-2.1 January 2001 FEATURES s s s s s Low VCE(SAT) Non Punch Through Silicon Isolated Copper Baseplate Low Inductance Internal Construction 200A Per Arm KEY PARAMETERS VCES (typ) VCE(sat) (max) IC (max) IC(PK) 1
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SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

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