Datasheet FQPF9N25CT Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	FQPF9N25CT	N-Channel QFET MOSFET FQPF9N25C / FQPF9N25CT — N-Channel QFET® MOSFET November 2013 FQPF9N25C / FQPF9N25CT N-Channel QFET® MOSFET 250 V, 8.8 A, 430 mΩ Features • 8.8 A, 250 V, RDS(on) = 430 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 4.4 A • Low Gate Charge (Typ. 26.5 nC) • Low Crss (Typ. 45.5 pF) • 100% Avalanche Test	Fairchild Semiconductor

FQPF9N2 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
FQPF9N25C	N-Channel QFET MOSFET FQPF9N25C / FQPF9N25CT — N-Channel QFET® MOSFET November 2013 FQPF9N25C / FQPF9N25CT N-Channel QFET® MOSFET 250 V, 8.8 A, 430 mΩ Features • 8.8 A, 250 V, RDS(on) = 430 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 4.4 A • Low Gate Charge (Typ. 26.5 nC) • Low Crss (Typ. 45.5 pF) �	Fairchild Semiconductor
FQPF9N25	250V N-Channel MOSFET QFET % % % % % % & '()+,-.+ /)Ω0,.1+, 2 3 1 * 4 23 1*4 1++5 ! 6 !!$ "	Fairchild Semiconductor
FQPF9N25CT	N-Channel QFET MOSFET FQPF9N25C / FQPF9N25CT — N-Channel QFET® MOSFET November 2013 FQPF9N25C / FQPF9N25CT N-Channel QFET® MOSFET 250 V, 8.8 A, 430 mΩ Features • 8.8 A, 250 V, RDS(on) = 430 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 4.4 A • Low Gate Charge (Typ. 26.5 nC) • Low Crss (Typ. 45.5 pF) �	Fairchild Semiconductor

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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