Datasheet FLL410IK-4C Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	FLL410IK-4C	L-Band High Power GaAs FET L-Band High Power GaAs FET FEATURES ・High Output Power: Pout=46.0dBm(Typ.) ・High Gain: GL=11.5dB(Typ.) ・High PAE: ηadd=44%(Typ.) ・Broad Band: 3.4~3.7GHz ・Hermetically Sealed Package DESCRIPTION The FLL410IK-4C is a partially matched 40 Watt GaAs FET that is designed for use in 3.4 – 3.7	Fujitsu

FLL410IK Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
FLL410IK-3C	L-Band High Power GaAs FET L-Band High Power GaAs FET FEATURES ・High Output Power: Pout=46.0dBm(Typ.) ・High Gain: GL=13.0dB(Typ.) ・High PAE: ηadd=52%(Typ.) ・Broad Band: 2.5~2.7GHz ・Hermetically Sealed Package DESCRIPTION The FLL410IK-3C is a partially matched 40 Watt GaAs FET that is designed fo	Eudyna Devices
FLL410IK-4C	L-Band High Power GaAs FET L-Band High Power GaAs FET FEATURES ・High Output Power: Pout=46.0dBm(Typ.) ・High Gain: GL=11.5dB(Typ.) ・High PAE: ηadd=44%(Typ.) ・Broad Band: 3.4~3.7GHz ・Hermetically Sealed Package DESCRIPTION The FLL410IK-4C is a partially matched 40 Watt GaAs FET that is designed fo	Fujitsu

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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