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Datasheet FDT86106LZ Equivalent ( PDF )

N.º Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
1 FDT86106LZ   MOSFET ( Transistor )

FDT86106LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET FDT86106LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 3.2 A, 108 mΩ Features General Description January 2013 „ Max rDS(on) = 108 mΩ at VGS = 10 V, ID = 3.2 A „ Max rDS(on) = 153 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 2.7 A „ High performance trench technology for
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
datasheet FDT86106LZ pdf

FDT8610 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
FDT86106LZ

MOSFET ( Transistor )

FDT86106LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET FDT86106LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 3.2 A, 108 mΩ Features General Description January 2013 „ Max rDS(on) = 108 mΩ at VGS = 10 V, ID = 3.2 A „ Max rDS(on) = 153 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 2.7 A „ High performance tr
Fairchild Semiconductor
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datasheet pdf - Fairchild Semiconductor
FDT86102LZ

MOSFET ( Transistor )

FDT86102LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET November 2010 FDT86102LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 6.6 A, 28 mΩ Features „ Max rDS(on) = 28 mΩ at VGS = 10 V, ID = 6.6 A „ Max rDS(on) = 38 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 5.5 A „ HBM ESD protection level > 6 kV typical (Note
Fairchild Semiconductor
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SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

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