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Datasheet FDS89141 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | FDS89141 | Dual N-Channel MOSFET FDS89141 Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET
December 2010
FDS89141
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET
100 V, 3.5 A, 62 mΩ
Features
Max rDS(on) = 62 mΩ at VGS = 10 V, ID = 3.5 A Max rDS(on) = 100 mΩ at VGS = 6 V, ID = 2.8 A High performance trench technology for extremely low rDS(on) |
Fairchild Semiconductor |
FDS89 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
FDS8958A | Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
Fairchild Semiconductor |
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FDS8958 | Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET |
Fairchild Semiconductor |
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FDS8962C | Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET |
Fairchild Semiconductor |
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Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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