Datasheet FDP10N60NZ Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	FDP10N60NZ	N-Channel UniFET II MOSFET FDP10N60NZ / FDPF10N60NZ — N-Channel UniFETTM II MOSFET November 2013 N-Channel UniFETTM II MOSFET 600 V, 10 A, 750 mΩ Features • RDS(on) = 640 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 5 A • Low Gate Charge (Typ. 23 nC) • Low Crss (Typ. 10 pF) • 100% Avalanche Tested • Improved dv/dt Capability	Fairchild Semiconductor

FDP10N6 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
FDP10N60NZ	N-Channel UniFET II MOSFET FDP10N60NZ / FDPF10N60NZ — N-Channel UniFETTM II MOSFET November 2013 N-Channel UniFETTM II MOSFET 600 V, 10 A, 750 mΩ Features • RDS(on) = 640 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 5 A • Low Gate Charge (Typ. 23 nC) • Low Crss (Typ. 10 pF) • 100% Avalanche Tested • Improv	Fairchild Semiconductor
FDP10N60ZU	MOSFET ( Transistor ) FDP10N60ZU/FDPF10N60ZUT N-Channel MOSFET FDP10N60ZU / FDPF10N60ZUT N-Channel MOSFET, FRFET 600V, 9A, 0.8Ω April 2009 UniFETTM tm Features • RDS(on) = 0.65Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 4.5A • Low gate charge ( Typ. 31nC) • Low Crss ( Typ. 15pF) • Fast switching • 100%	Fairchild Semiconductor

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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