Datasheet FDMD82100L Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	FDMD82100L	MOSFET ( Transistor ) FDMD82100L Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET June 2014 FDMD82100L Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 24 A, 19.5 mΩ Features General Description Max rDS(on) = 19.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 7 A Max rDS(on) = 30 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 5.7 A Ideal for flexible layout in primar	Fairchild Semiconductor

FDMD821 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
FDMD82100	MOSFET ( Transistor ) FDMD82100 Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET June 2014 FDMD82100 Dual N-Channel Power Trench® MOSFET 100 V, 25 A, 19 mΩ Features General Description Max rDS(on) = 19 mΩ at VGS = 10 V, ID = 7 A Max rDS(on) = 33 mΩ at VGS = 6 V, ID = 5.5 A Ideal for flexible layo	Fairchild Semiconductor
FDMD82100L	MOSFET ( Transistor ) FDMD82100L Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET June 2014 FDMD82100L Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 24 A, 19.5 mΩ Features General Description Max rDS(on) = 19.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 7 A Max rDS(on) = 30 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 5.7 A Ideal for flexi	Fairchild Semiconductor

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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