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Datasheet FDFME2P823ZT Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | FDFME2P823ZT | Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode FDFME2P823ZT Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode
FDFME2P823ZT
July 2010
Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode -20 V, -2.6 A, 142 mΩ
Features
General Description
Max rDS(on) = 142 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -2.3 A Max rDS(on) = 213 mΩ at VG |
Fairchild Semiconductor |
FDFME2P82 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
FDFME2P823ZT | Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode |
Fairchild Semiconductor |
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Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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