Datasheet FDD10N20LZ Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	FDD10N20LZ	MOSFET ( Transistor ) FDD10N20LZ — N-Channel UniFETTM MOSFET FDD10N20LZ N-Channel UniFETTM MOSFET 200 V, 7.6 A, 360 mΩ Features • RDS(on) = 300 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 3.8 A • Low Gate Charge (Typ. 12 nC) • Low Crss (Typ. 11 pF) • 100% Avalanche Tested • Improved dv/dt Capability • ESD Improved Capa	Fairchild Semiconductor

FDD10N2 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
FDD10N20LZ	MOSFET ( Transistor ) FDD10N20LZ — N-Channel UniFETTM MOSFET FDD10N20LZ N-Channel UniFETTM MOSFET 200 V, 7.6 A, 360 mΩ Features • RDS(on) = 300 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 3.8 A • Low Gate Charge (Typ. 12 nC) • Low Crss (Typ. 11 pF) • 100% Avalanche Tested • Improved dv/dt Capability	Fairchild Semiconductor

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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