Datasheet FDB28N30 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	FDB28N30	MOSFET ( Transistor ) FDB28N30 N-Channel MOSFET FDB28N30 N-Channel MOSFET 300V, 28A, 0.129Ω Features • RDS(on) = 0.108Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 14A • Low gate charge ( Typ. 39nC) • Low Crss ( Typ. 35pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability • RoHS compliant June 2007 UniF	Fairchild Semiconductor

FDB28 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
FDB28N30	MOSFET ( Transistor ) FDB28N30 N-Channel MOSFET FDB28N30 N-Channel MOSFET 300V, 28A, 0.129Ω Features • RDS(on) = 0.108Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 14A • Low gate charge ( Typ. 39nC) • Low Crss ( Typ. 35pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability • RoHS compl	Fairchild Semiconductor

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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