Datasheet FDB14N30 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	FDB14N30	N-Channel MOSFET FDB14N30 300V N-Channel MOSFET FDB14N30 300V N-Channel MOSFET Features • 14A, 300V, RDS(on) = 0.29Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 18 nC) • Low Crss ( typical 17 pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability UniFET Description February 2007 TM Th	Fairchild Semiconductor

FDB14 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
FDB14AN06LA0	N-Channel PowerTrench MOSFET 60V/ 60A/ 14.6m FDB14AN06LA0 / FDP14AN06LA0 January 2004 FDB14AN06LA0 / FDP14AN06LA0 N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 60A, 14.6mΩ Features • r DS(ON) = 12.8mΩ (Typ.), VGS = 5V, ID = 60A • Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 5V • Low Miller Charge • Low QRR Body Diode • UIS Capability	Fairchild Semiconductor
FDB14N30	N-Channel MOSFET FDB14N30 300V N-Channel MOSFET FDB14N30 300V N-Channel MOSFET Features • 14A, 300V, RDS(on) = 0.29Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 18 nC) • Low Crss ( typical 17 pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability UniFET Description F	Fairchild Semiconductor

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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