Datasheet FDB024N08BL7 Equivalent ( PDF )

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1	FDB024N08BL7	MOSFET ( Transistor ) FDB024N08BL7 N-Channel PowerTrench® MOSFET June 2014 FDB024N08BL7 N-Channel PowerTrench® MOSFET 80 V, 229 A, 2.4 mΩ Features • RDS(on) = 1.7 mΩ ( Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 100 A • Low FOM RDS(on) *QG • Low Reverse Recovery Charge, Qrr = 112 nC • Soft Reverse Recovery Body Diode • Ena	Fairchild Semiconductor

FDB024N08 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

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FDB024N08BL7	MOSFET ( Transistor ) FDB024N08BL7 N-Channel PowerTrench® MOSFET June 2014 FDB024N08BL7 N-Channel PowerTrench® MOSFET 80 V, 229 A, 2.4 mΩ Features • RDS(on) = 1.7 mΩ ( Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 100 A • Low FOM RDS(on) *QG • Low Reverse Recovery Charge, Qrr = 112 nC • Soft Reverse Recover	Fairchild Semiconductor

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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