Datasheet FCMT199N60 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	FCMT199N60	N-Channel SuperFET II MOSFET FCMT199N60 — N-Channel SuperFET® II MOSFET August 2014 FCMT199N60 N-Channel SuperFET® II MOSFET 600 V, 20.2 A, 199 mΩ Features • 650 V @ TJ = 150°C • RDS(on) = 170 mΩ (Typ.) • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 57 nC) • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 160 pF) •	Fairchild Semiconductor

FCMT199 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

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FCMT199N60	N-Channel SuperFET II MOSFET FCMT199N60 — N-Channel SuperFET® II MOSFET August 2014 FCMT199N60 N-Channel SuperFET® II MOSFET 600 V, 20.2 A, 199 mΩ Features • 650 V @ TJ = 150°C • RDS(on) = 170 mΩ (Typ.) • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 57 nC) • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(	Fairchild Semiconductor

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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