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Datasheet FA01215 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | FA01215 | GaAs FET HYBRID IC MITSUBISHI SEMICONDUCTOR GaAs FET
FA01215
GaAs FET HYBRID IC
DESCRIPTION
FA01215 is RF Hybrid IC designed for 900MHz band small size handheld radio.
0.6 2 3.5 14.7 14.2 2 3.5 2
Unit:mm
FEATURES
• Low voltage • High gain • High efficiency • High power 3.0V 24dB(typ.) 50% 34.5dBm
6
APPLIC |
Mitsubishi Electric Semiconductor |
FA01 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
FA01215 | GaAs FET HYBRID IC |
Mitsubishi Electric Semiconductor |
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FA01384 | GaAs FET HYBRID IC |
Mitsubishi Electric Semiconductor |
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FA01220A | GaAs FET HYBRID IC |
Mitsubishi Electric Semiconductor |
Esta página es del resultado de búsqueda del FA01215. Si pulsa el resultado de búsqueda de FA01215 se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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