Datasheet F11NM80 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	F11NM80	STF11NM80 STB11NM80 - STF11NM80 STP11NM80 - STW11NM80 N-channel 800 V - 0.35 Ω - 11 A - TO-220/FP- D2PAK - TO-247 MDmesh™ Power MOSFET Features Type VDSS 800 V 800 V 800 V RDS(on) < 0.40 Ω < 0.40 Ω < 0.40 Ω < 0.40 Ω RDS(on)Qg 14ΩnC 14ΩnC 14ΩnC 14Ω*nC ID 11 A 11	STMicroelectronics

F11N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
F11NM80	STF11NM80 STB11NM80 - STF11NM80 STP11NM80 - STW11NM80 N-channel 800 V - 0.35 Ω - 11 A - TO-220/FP- D2PAK - TO-247 MDmesh™ Power MOSFET Features Type VDSS 800 V 800 V 800 V RDS(on) < 0.40 Ω < 0.40 Ω < 0.40 Ω < 0.40 Ω RDS(on)Qg 14ΩnC 14ΩnC 14ΩnC	STMicroelectronics
F11NM60N	STF11NM60N STD11NM60N - STD11NM60N-1 STP11NM60N - STF11NM60N N-channel 600V - 0.37Ω - 10A - TO-220 - TO-220FP- IPAK - DPAK Second generation MDmesh™ Power MOSFET General features Type STD11NM60N STD11NM60N-1 STF11NM60N STP11NM60N VDSS (@Tjmax) 650V 650V 650V 650V RDS(on) <0.45Ω <0.45	ST Microelectronics
F11N60F	FCPF11N60F FCP11N60F/FCPF11N60F 600V N-Channel MOSFET SuperFET FCP11N60F/FCPF11N60F 600V N-Channel MOSFET Features • 650V @TJ = 150°C • Typ. RDS(on) = 0.32Ω • Fast Recovery Type ( trr = 120ns) • Ultra Low Gate Charge (typ. Qg = 40nC) • Low Effective Output Capacitance (typ. Co	Fairchild Semiconductor

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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