Datasheet DG6N70 Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	DG6N70	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DG6N70 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号：V1.0 产品概述 General Description DG6N70是N沟道增强型场效应晶体管，应用了东光微电的相关专利技术，采用自对准平面工艺及先进的终端耐压技术，降低了导通损�	DGME

DG6 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
DG6N60	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DG6N60 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号：V1.0 产品概述 General Description DG6N60是N沟道增强型场效应晶体管，应用了东光微电的相关专利技术，采用自对准平面工艺及先进的终端耐压技术�	DGME
DG646BH25	Gate Turn-off Thyristor DG646BH25 DG646BH25 Gate Turn-off Thyristor Replaces March 1998 version, DS4092-2.3 DS4092-3.0 January 2000 APPLICATIONS s Variable speed A.C. motor drive inverters (VSD-AC) s Uninterruptable Power Supplies s High Voltage Converters s Choppers s Welding s Induction Heating s DC	Dynex
DG640	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DG640 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号：V1.0 产品概述 General Description DG640是N沟道增强型场效应晶体管，应用了东光微电的相关专利技术，采用自对准平面工艺及先进的终端耐压技术，	DGME

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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