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Datasheet DG2N60 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
2 | DG2N60 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DG2N60
N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
版本号:V1.0
产品概述 General Description
DG2N60是N沟道增强型场效应晶体管,应用了东光微电的相关专利技术,采用自对准平 面工艺及先进的终端耐压技术,降低了导通损 |
DGME |
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1 | DG2N60 | FET 江苏东光微电子股份有限公司 Jiangsu Dongguang Micro-electronics Co.,Ltd
www.jsdgme.com
○R 产 品 规 格 书
产 品 名 称: 场效应晶体管 产 品 型 号: DG2N60
Establishment: 冯 军 Verification : 陈 夕 宁 ISSUE DATE: 2009-02-18
VD-MOS:DG2N60
1/11
江苏东光� |
Jiangsu Dongguang |
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Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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