|
|
Datasheet DE275-101N30A Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | DE275-101N30A | RF Power MOSFET DE275-101N30A
RF Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Low Qg and Rg High dv/dt Nanosecond Switching
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR dv/dt Test Conditions
TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ Continuous Transient Tc = 25°C Tc = 25°C, pulse width limited by TJM Tc = |
IXYS Corporation |
DE275-101N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
DE275-101N30A | RF Power MOSFET |
IXYS Corporation |
Esta página es del resultado de búsqueda del DE275-101N30A. Si pulsa el resultado de búsqueda de DE275-101N30A se puede ver detalladamente sobre la hoja de datos, el circuito y la disposición de pin. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Sitemap |